專利名稱 一種石墨烯量子點(diǎn)化學(xué)活性誘導(dǎo)生長紅熒烯薄膜的方法
申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào) CN201710231843.6 專利權(quán)人（第一權(quán)利人） 長春工業(yè)大學(xué)
申請(qǐng)日 2017-04-11 授權(quán)日 2019-02-05
專利類別 授權(quán)發(fā)明 戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)分類 材料化工
技術(shù)主題 Hummers法|溶劑|晶體生長|高壓|結(jié)晶度|Cvd石墨烯|石墨烯量子點(diǎn)|化學(xué)活性|量子|材料科學(xué)|醇
應(yīng)用領(lǐng)域 真空蒸發(fā)鍍覆|濺射鍍覆|納米技術(shù)|離子注入鍍覆
意向價(jià)格 具體面議
專利概述 本發(fā)明是一種石墨烯量子點(diǎn)化學(xué)活性誘導(dǎo)生長紅熒烯薄膜的方法，利用石墨烯量子點(diǎn)表面效應(yīng)的高化學(xué)活性橫向誘導(dǎo)紅熒烯晶體生長的方法。在SiO2襯底（3）制備石墨烯量子點(diǎn)（1）誘導(dǎo)層，紅熒烯分子（2）在石墨烯量子點(diǎn)（1）誘導(dǎo)下沿石墨烯量子點(diǎn)（1）邊緣生長。其中石墨烯量子點(diǎn)（1）采用溶劑熱法將改進(jìn)Hummers法制備的氧化石墨烯置于220oC高溫高壓反應(yīng)釜中進(jìn)行切割，再將石墨烯量子（1）點(diǎn)溶于乙醇中旋涂于SiO2襯底上進(jìn)行烘干，石墨烯量子點(diǎn)（1）呈點(diǎn)狀分布，接著紅熒烯分子（2）沿著石墨烯量子點(diǎn)（1）邊緣橫向生長，逐漸鋪滿整個(gè)襯底，形成有序、均勻的紅熒烯薄膜。該方法利于實(shí)現(xiàn)紅熒烯的結(jié)晶性生長形成高有序的薄膜。
圖片資料 一種石墨烯量子點(diǎn)化學(xué)活性誘導(dǎo)生長紅熒烯薄膜的方法
合作方式 具體面議
聯(lián)系人 戚梅宇 聯(lián)系電話 13074363281